Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Mit Kühlkörper - M.2 2280 - PCIe 4.0
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SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, datenübertragungsrate: 7450 MB/s (lesen) / 6900 MB/s (schreiben), IOPS: 1400000 IOPS (lesen) / 1550000 IOPS (schreiben), 4GB LPDDR4 RAM, größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Hardware-Verschlüsselung: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage kompatibel, Samsung Pascal S4LV008 controller, Hinweis! Großverpackt (ohne Zubehör), schwarz: sort
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The Samsung 990 PRO solid state drive combines high-capacity storage, fast speeds, and advanced security measures to meet the needs of demanding data environments. With a 4 TB capacity and a 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, it offers ample space and quick access to your data. The drive's PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures rapid data transfer rates, making it ideal for intensive applications and multitasking.
Designed for durability, the Samsung 990 PRO features an integrated heatsink to maintain optimal temperatures and supports S.M.A.R.T., TRIM, and Device Sleep technologies for enhanced efficiency and longevity. Its 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0 provide secure data protection, making it a trustworthy choice for sensitive information. Whether for professional or personal use, this SSD delivers performance, reliability, and security.
Generell
| Hersteller | Samsung |
| Waren-Nr. | 3198219 |
| Modell | MZ-V9P4T0CW / GW |
| EAN | 8806094946857 |
| Produktbeschreibung | Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Typ | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 4 TB |
| Integrierter Kühlkörper | Ja |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T. |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm |
| Gewicht | 28 g |
Technische Daten
| Allgemein | |
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 4 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| Integrierter Kühlkörper | Ja |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T. |
| Breite | 25 mm |
| Tiefe | 80.15 mm |
| Höhe | 8.88 mm |
| Gewicht | 28 g |
| Leistung | |
| Interner Datendurchsatz | 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 1550000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 1600000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch | 6.5 watt (Durchschnitt) 55 mW (Leerlauf) |
| Software & Systemanforderungen | |
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software |
| Verschiedenes | |
| Kennzeichnung | IEEE 1667 |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g |
Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.
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