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Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Ohne Kühlkörper - M.2 2280 - PCIe 4.0

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SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, datenübertragungsrate: 7450 MB/s (lesen) / 6900 MB/s (schreiben), IOPS: 1400000 IOPS (lesen) / 1550000 IOPS (schreiben), 4GB LPDDR4 RAM, größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Hardware-Verschlüsselung: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, schwarz: sort

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The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.

Generell

Hersteller Samsung
Waren-Nr. 3103448
Modell MZ-V9P4T0BW
EAN 8806094947205
Produktbeschreibung Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ Solid State Drive - intern
Kapazität 4 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Gewicht 9 g

Technische Daten

Allgemein
Gerätetyp Solid State Drive - intern
Kapazität 4 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Breite 22 mm
Tiefe 80 mm
Höhe 2.3 mm
Gewicht 9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write 1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read 1600000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch 5.5 watt (Durchschnitt) 55 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.

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