Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Ohne Kühlkörper - M.2 2280 - PCIe 4.0
PCIe-4.0-SSD mit hoher Geschwindigkeit, ausgezeichneter Energieeffizienz und optimierter Performance für intensive Workloads und Gaming.
Die Samsung 990 Pro SSD 4TB ohne Kühlkörper überzeugt mit rasanter Lese- und Schreibgeschwindigkeit und nutzt den Samsung-eigenen Controller für eine herausragende Leistung – ideal für High-End-PCs und Laptops mit begrenztem Platzangebot.
- Kapazität: 4 TB NVMe-Speicher für umfangreiche Datenmengen
- Leistung: Bis zu 7.450 MB/s Lesen & 6.900 MB/s Schreiben
- Formfaktor: M.2 2280 – perfekt für kompakte Systeme
- Technologie: Samsung V-NAND, PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0
- Effizienz: Niedriger Energieverbrauch trotz Höchstleistung
- Kompatibilität: Ideal für Desktop-PCs, Notebooks und PlayStation 5 (mit separatem Kühlkörper)
Die oben gennanten Informationen/Spezifikationen sind Richtwerte und können ohne vorherige Ankündigung vom Hersteller geändert werden. Die Abbildungen sind nur indikativ und es können Schreibfehler vorkommen. Bitte beachten: Deutsche Bedienungsanleitung nicht im Lieferumfang enthalten. Einige Texte wurden möglicherweise automatisch erstellt oder maschinell übersetzt und können daher irreführend sein.
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| Generell | |
| Hersteller: | Samsung |
| Waren-Nr.: | 3103448 |
| Modell: | MZ-V9P4T0BW |
| EAN: | 8806094947205 |
| Zum Hersteller:: | www.samsung.com/memory-storage/nvme-ssd/... |
| Kontaktieren Sie den Hersteller: | www.samsung.com/dk/support/contact |
| Produktbeschreibung: | Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Typ: | Solid State Drive - intern |
| Kapazität: | 4 TB |
| Hardwareverschlüsselung: | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus: | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp: | Multi-Level-Cell (MLC) |
| Formfaktor: | M.2 2280 |
| Schnittstelle: | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale: | Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): | 22 mm x 80 mm x 2.3 mm |
| Gewicht: | 9 g |
| Allgemein | |
| Gerätetyp: | Solid State Drive - intern |
| Kapazität: | 4 TB |
| Hardwareverschlüsselung: | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus: | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp: | Multi-Level-Cell (MLC) |
| Formfaktor: | M.2 2280 |
| Schnittstelle: | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale: | Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. |
| Breite: | 22 mm |
| Tiefe: | 80 mm |
| Höhe: | 2.3 mm |
| Gewicht: | 9 g |
| Leistung | |
| Interner Datendurchsatz: | 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write: | 1550000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read: | 1600000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF: | 1,500,000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Schnittstellen: | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld: | M.2 2280 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch: | 5.5 Watt (Durchschnitt) 55 mW (Leerlauf) |
| Software & Systemanforderungen | |
| Software inbegriffen: | Samsung Magician Software |
| Verschiedenes | |
| Kennzeichnung: | IEEE 1667 |
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